不同烧结温度与工艺对SiC陶瓷表面形貌的影响

来源 :伊犁师范学院学报：自然科学版 | 被引量 : 0次 | 上传用户：yzoryanzii

【摘要】

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对碳化硅粉体进行预氧化处理,以Al2O3-Mg O-Y2O3为烧结助剂,在不同温度下无压烧结制备Si C陶瓷.对陶瓷样品的晶体结构和表面微结构进行了检测分析,研究烧结温度和碳化硅粉体

【作者】

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杜卫平朱强董肖王丽娜萨娜玛迪娜朱丹丹

【机构】

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伊犁师范学院物理科学与技术学院,南京大学物理学院

【出处】

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伊犁师范学院学报：自然科学版

【发表日期】

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2016年2期

【关键词】

：

碳化硅陶瓷预氧化制备工艺 Silicon carbide ceramic Pre-oxidation Sintering additives

【基金项目】

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伊犁师范学院一般项目（2015YSYB28）, 自治区自然科学基金青年项目（2015211C300）, 伊犁师范学院2014年度研究生科研创新项目（2014YSY033）

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对碳化硅粉体进行预氧化处理,以Al2O3-Mg O-Y2O3为烧结助剂,在不同温度下无压烧结制备Si C陶瓷.对陶瓷样品的晶体结构和表面微结构进行了检测分析,研究烧结温度和碳化硅粉体是否预氧化处理对陶瓷材料的影响.结果表明：经过预氧化处理的样品比未经预氧化处理的样品存在较多孔隙,且烧结后质量损失程度大;无论是否经过预氧化处理,样品中均出现了Y3Al5O12相（YAG）.

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