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介绍了以金刚石为代表的宽带隙薄膜材料场电子发射研究背景和现状 ,对金刚石、类金刚石 (DLC)、立方氮化硼 (c-BN)、氮化铝 (AlN)和碳化硅 (SiC)薄膜场电子发射研究的进展进行了评述 ,着重介绍了发射性能与薄膜的结构特征、杂质含量和处理方法间的关系 ,并讨论了研究中存在的问题 .
宽带隙薄膜材料场电子发射研究的背景、现状和问题
【摘 要】
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介绍了以金刚石为代表的宽带隙薄膜材料场电子发射研究背景和现状 ,对金刚石、类金刚石 (DLC)、立方氮化硼 (c-BN)、氮化铝 (AlN)和碳化硅 (SiC)薄膜场电子发射研究的进展进
【机 构】
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北京工业大学应用物理系!北京100022; 兰州大学物理系!兰州730000; 湛江师范学院物理系!湛江524048;
【出 处】
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物理
【发表日期】
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2004年期
【基金项目】
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国家自然科学基金;北京市自然科学基金
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