【摘 要】
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大规模集成电路工艺要求使用直拉法高质量的无位错硅单晶。然而,硅片在半导体器件制造过程中重复热过程将诱发很多微缺陷(MD),这种MD是有害的。降低晶体中的氧浓度是降低MD
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大规模集成电路工艺要求使用直拉法高质量的无位错硅单晶。然而,硅片在半导体器件制造过程中重复热过程将诱发很多微缺陷(MD),这种MD是有害的。降低晶体中的氧浓度是降低MD的一种方法,但硅中的氧并不
Large scale integrated circuit processes require the use of Czochralski high-quality, dislocated silicon single crystals. However, repeated thermal processes of silicon wafers in semiconductor device fabrication induce many micro-defects (MDs), which are detrimental. Reduce the oxygen concentration in the crystal is a way to reduce MD, but the oxygen in silicon is not
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