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用拉曼光谱、X射线双晶衍射仪以及体式显微镜，对升华法生长的6H—SiC单晶品质、SiC单晶中的微管缺陷进行表征。通过对SiC单晶腐蚀前后的微管数目比较发现，微管尺寸和其所形成的腐蚀坑大小并不是呈线性关系，腐蚀前后用体式显微镜观察到的微管数目大致相等。从实验数据发现，微管的尺寸有最小值，这给SiC微管密度分布，提供了一种无损检测方法。