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利用真空射频溅射法制得了非晶态As-Te硫系薄膜。借助于XRD法研究了该系统薄膜的热致析晶,并与相应的块状样品作了比较。薄膜在热处理前后的光学折射率和消光系数分别进行了测定,分析了它们与薄膜组成、结构以及析出晶相的关系。另外还对薄膜随温度的变化过程进行了研究,指出了造成反射率发生变化的主要原因以及它们所对应的温度区域,对该系统薄膜在光盘方面的应用作了预言。