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入射光脉冲波长为1064nm时,GaAs光导开关上的直流电场强度为103V/cm.讨论了恒定光强和高斯光强时,GaAs杂质吸收载流子浓度随时间变化;将高斯光强时的模拟结果同实验相比较,二者吻合很好.
GaAs半导体对1.06μm激光的吸收响应
【摘 要】
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入射光脉冲波长为1064nm时,GaAs光导开关上的直流电场强度为103V/cm.讨论了恒定光强和高斯光强时,GaAs杂质吸收载流子浓度随时间变化;将高斯光强时的模拟结果同实验相比较,二
【机 构】
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电子科技大学物理电子学院,成都大学
【出 处】
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激光与光电子学进展
【发表日期】
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2005年2期
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