铜一二氧化硅体系巨霍耳效应研究

来源 :天津理工学院学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户：zhengxkun12

【摘要】

：

研究了体积比为0.45≤x≤0.8的Cux(SiO2)1-x样品的霍耳系数与成份的关系，随着金属体积比的降低，霍耳系数R迅速增加，并在x=0.51 时达到最大，其值为x=0.8的样品霍耳系数的700倍，远超

【作者】

：

邬祥忠李振声刘晖

【机构】

：

天津理工学院自动化与能源工程学院，天津 300191

【出处】

：

天津理工学院学报

【发表日期】

：

2001年1期

【关键词】

：

晶粒巨霍耳效应渗流

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研究了体积比为0.45≤x≤0.8的Cux(SiO2)1-x样品的霍耳系数与成份的关系，随着金属体积比的降低，霍耳系数R迅速增加，并在x=0.51 时达到最大，其值为x=0.8的样品霍耳系数的700倍，远超过经典渗流理论计算数值 .本研究表明，这种非磁性金属系统中的巨霍耳效应（GHE）是由界观尺度的量子干涉效应引起的.

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