论文部分内容阅读
直流电流电压（DCIV）技术受应用于智能剥离技术制造的PDSOI中硅/二氧化硅界面质量的研究．本文通过将样品进行钴60伽马射线辐照，用以监测PDSOI器件背沟道界面在总剂量辐照前后的变化情况．本文给出了完整的测试原理、实验流程和结果分析，不仅提取了辐照前后PDSOI器件的背界面陷阱密度以及它所在的等效能级，而且得到了界面陷阱能级密度在硅禁带中随能级变化的u型分布图（以禁带中央附近为主），为后续PDSOI器件的抗辐照加固提供了参考．