0.5μm工艺CMOS有源像素传感器的总剂量辐射效应

来源 :发光学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户：aerbinbayaer

【摘要】

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采用60Co-γ射线对某国产0.5μm CMOS N阱工艺CMOS有源像素传感器(APS)的整体电路和像素单元结构进行了电离总剂量辐射效应研究,重点考察了器件的饱和输出信号、像素单元输出

【作者】

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汪波李豫东郭旗刘昌举文林孙静玛丽娅

【机构】

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中国科学院特殊环境功能材料与器件重点试验室,中国科学院大学,重庆光电技术研究所

【出处】

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发光学报

【发表日期】

：

2015年2期

【关键词】

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电离总剂量辐射效应 CMOS有源像素传感器饱和输出信号像素单元结构 LOCOS隔离 total ionizing dose CMOS APS satur

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采用60Co-γ射线对某国产0.5μm CMOS N阱工艺CMOS有源像素传感器(APS)的整体电路和像素单元结构进行了电离总剂量辐射效应研究,重点考察了器件的饱和输出信号、像素单元输出信号、暗信号等参数的变化规律。随着辐射剂量的增大,饱和输出信号逐渐减小且与像素单元饱和输出信号变化基本一致;暗信号随总剂量的增大而显著增大。研究结果表明,0.5μm工艺CMOS APS电离总剂量辐射效应引起参数退化的主要原因是光敏二极管周围的整个LOCOS(Local oxidation of silicon)隔离氧化层产

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