【摘 要】
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掺La的BaTiO3陶瓷在H2和Ar(体积比1:99)的还原气氛下烧结后,在氧分压p(O2)=260 Pa的气氛(Ar和O2的混合气体)下进行氧化,测量了吸氧量不同时的复阻抗图谱,研究了再氧化过程中
【机 构】
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陕西科技大学材料科学与工程学院,西安交通大学,Martin-Luther-University
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掺La的BaTiO3陶瓷在H2和Ar(体积比1:99)的还原气氛下烧结后,在氧分压p(O2)=260 Pa的气氛(Ar和O2的混合气体)下进行氧化,测量了吸氧量不同时的复阻抗图谱,研究了再氧化过程中晶粒和晶界的吸附氧对电阻率的影响.结果表明:在还原气氛下烧结可以扩展有效施主掺杂浓度的范围,通过晶粒的异常生长,制备出高施主掺杂量(10%,摩尔分数)的半导性BaTiO3陶瓷.再氧化过程中,随氧化温度的升高(1 017～1 380℃),晶界吸附氧的量增大,晶界处的晶界势垒包括两部分:外部晶界吸收氧原子充当表面受
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