基于InP/InGaAs HBT技术的单片集成长波长光接收OEIC

来源 :半导体学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户：weilove721

【摘要】

：

采用InP/InGaAs HBT与PIN光探测器单片集成方案,对光接收光电集成电路(OEIC)的外延材料结构和生长、电路设计、制作工艺和性能测试进行了研究.基于自对准InP/InGaAs HBT工艺,

【作者】

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李献杰赵永林蔡道民曾庆明蒲运章郭亚娜王志功王蓉

【机构】

：

中国电子科技集团公司第十三研究所

【出处】

：

半导体学报

【发表日期】

：

2007年z1期

【关键词】

：

InP INGAAS HBT PIN 光接收 OEIC

【基金项目】

：

国家高技术研究发展计划(批准号:2001AA312040,2002AA312040),重点实验室基金(批准号:51432070104ZK3401)和国家重大基础研究发展规划(批准号:2003CB314901)资助项目

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采用InP/InGaAs HBT与PIN光探测器单片集成方案,对光接收光电集成电路(OEIC)的外延材料结构和生长、电路设计、制作工艺和性能测试进行了研究.基于自对准InP/InGaAs HBT工艺,实现了1.55μm波长单片集成光接收OEIC.发射极尺寸2μm×8μm的InP/InGaAs HBT直流增益为40,截止频率和最高振荡频率分别为45和54GHz;集成InGaAs PIN光探测器在-5V下响应度为0.45A/W@1.55/μm,暗电流小于10nA,-3dB带宽达到10.6GHz;研制

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