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采用超声喷雾热解法在单晶GaAs（100）衬底上生长ZnO同质p-n结．以醋酸锌水溶液为前驱体，分别以醋酸铵和硝酸铟为氮（N）源和铟（In）源，通过氮-铟（N-In）共掺杂沉积P型ZnO薄膜，以未故意掺杂的ZnO薄膜做为n型层获得ZnO基同质p-n结．采用热蒸发工艺在ZnO层和GaAs衬底上分别蒸镀Zn／Au和Au／Ge／Ni电极而获得发光二极管原型器件，在室温下发现了该器件正向电流注入下的连续发光现象．