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设计了一个与n阱工艺兼容的高精密CMOS带隙基准电压源电路.该电路实现了一阶PTAT温度补偿,并具有好的电源抑制比.SPICE模拟和测试结果表明,其电源抑制比可达到60 dB, 在20～70 °C范围内精度可达到60 ppm/°C.
一种高精密CMOS带隙基准源
【摘 要】
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设计了一个与n阱工艺兼容的高精密CMOS带隙基准电压源电路.该电路实现了一阶PTAT温度补偿,并具有好的电源抑制比.SPICE模拟和测试结果表明,其电源抑制比可达到60 dB, 在20～70
【机 构】
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复旦大学
【出 处】
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微电子学
【发表日期】
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2003年3期
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