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本文讨论了掺杂多晶硅发射极工艺技术中的关键影响因素：LPCVD条件、多晶硅股厚、前处理方法、多晶硅膜形成以后的运火状态，并给出了实验结果及流行的理论解释，为采用多晶硅发射极技术进行的集成电路生产和科研提供了一定的参考和技术支撑。
掺杂多晶硅发射极技术研究
【摘 要】
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本文讨论了掺杂多晶硅发射极工艺技术中的关键影响因素：LPCVD条件、多晶硅股厚、前处理方法、多晶硅膜形成以后的运火状态，并给出了实验结果及流行的理论解释，为采用多晶硅发射
【机 构】
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中国华晶电子集团公司双极电路总厂!无锡,214061,东南大学微电子中心!南京,210096
【出 处】
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微电子技术
【发表日期】
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1998年03期
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