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化学机械抛光（Chemical Mechanical Polishing,CMP）是当今唯一能够提供全局平面化的技术,其抛光机理的研究是当前的热点。综述了考虑抛光液和抛光垫特性的抛光机理模型,分析了各模型的相关特点,最后对CMP模型的发展和研究方向提出展望。
化学机械抛光的理论模型研究综述
【摘 要】
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化学机械抛光（Chemical Mechanical Polishing,CMP）是当今唯一能够提供全局平面化的技术,其抛光机理的研究是当前的热点。综述了考虑抛光液和抛光垫特性的抛光机理模型,分析了
【机 构】
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盐城工学院机械工程学院
【出 处】
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机械设计与制造
【发表日期】
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2010年11期
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