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介绍了最新研制的１２８×１２８阵列ＭＡＭＡ器件。该器件采用了叠合式阵列阳极，三块微通道板及近贴聚焦等先进技术。脉冲上升时间为０．３ｎｓ，单光子计数率为２×１０＾５／ｓ等器件的主要性能参数达到了国外同类产品水平。
128×128阵列MAMA器件
【摘 要】
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介绍了最新研制的１２８×１２８阵列ＭＡＭＡ器件。该器件采用了叠合式阵列阳极，三块微通道板及近贴聚焦等先进技术。脉冲上升时间为０．３ｎｓ，单光子计数率为２×１０＾５／ｓ等器件的主要性能参数达到了国外同类
【机 构】
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南京电子器件研究所
【出 处】
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光电子技术
【发表日期】
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1999年2期
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