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以ＮｉＺｎＣｕ铁氧体为原材料，通过适量掺杂Ｂｉ２Ｏ３作为降温烧结剂，将铁氧体烧结温度降至９２０℃，从而实现ＮｉＺｎＣｕ铁氧体与Ａｇ内电极的共烧匹配。再经特殊设计及技巧改良，制作出磁性能优良的多层式电感器和非常适合高密度表面封装技术要求的多层式滤波器。
多层片式抗EMI滤波器工艺研究
【摘 要】
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以ＮｉＺｎＣｕ铁氧体为原材料，通过适量掺杂Ｂｉ２Ｏ３作为降温烧结剂，将铁氧体烧结温度降至９２０℃，从而实现ＮｉＺｎＣｕ铁氧体与Ａｇ内电极的共烧匹配。再经特殊设计及技巧改良，制作出磁性能优良的多层式电感器和非常适合
【机 构】
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电子科技大学信息材料工程学院磁性物理系
【出 处】
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磁性材料及器件
【发表日期】
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1999年4期
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