【摘 要】
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利用气态源分子束外延技术在GaAs衬底上生长InAs量子点材料,研制出激射波长为1.3μm波段由5层量子点组成的3 mm腔长、3μm脊条宽度的InAs/GaAs量子点激光器。在室温连续波模
【机 构】
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山东省激光偏光与信息技术重点实验室曲阜师范大学物理系,中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室
【基金项目】
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国家自然科学基金（No.61674096）, 山东省自然科学基金（No.ZR2014FM011）
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利用气态源分子束外延技术在GaAs衬底上生长InAs量子点材料,研制出激射波长为1.3μm波段由5层量子点组成的3 mm腔长、3μm脊条宽度的InAs/GaAs量子点激光器。在室温连续波模式下,研究了激光器的输出性能和光谱性能,激光器的阈值电流为91 mA,相应的阈值电流密度为1 011.1 A/cm2,激光输出功率斜效率为115 mW/A,最高输出功率达到30 mW。在温度范围10~50℃内,测得激光器的特征温度为40K。另外,研究了改变注入电流和改变激光器的工作温度条件下的器件激射波长的调谐特性。
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ue＊M＃’＃dkB4＃＃8＃”专利申请号:00109“7公开号:1278062申请日:00.06.23公开日:00.12.27申请人地址:（100084川C京市海淀区清华园申请人:清华大学发明人:隋森芳文摘:本发明属于生物技