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多晶硅纳米薄膜具有优良的压阻特性,为提高其在传感器应用中的稳定性和可靠性,对这种薄膜的钝化层结构进行了研究.基于压力传感芯片的结构特点,建立了钝化层结构的有限元分析分析模型,给出了应力分布与SiO2和Si3N4钝化层结构之间关系。结果表明：采用Si3N4-SiO2-Si3N4复合钝化结构,适当控制各结构层厚度可有效降低热失配引起的内应力。从而给出了降低薄膜内应力的钝化方法,为多晶硅纳米薄膜在压阻式传感器上的应用提供了必要的技术支持。