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研究原子在金属结构中的自发辐射时引入单层石墨烯薄膜，利用石墨烯特殊的光电特性来调控原子的自发辐射率.推导了局态密度与自发辐射率的格林函数表示形式，并结合频域有限差分方法进行了数值模拟.分析结果表明：随着化学势的增大，自发辐射波峰出现蓝移现象，且自发辐射率波峰得到增强，理论上实现了原子自发辐射率峰值位置与幅度的调制.研究结果可以为新型纳米器件及光电子设备的制造和优化提供参考.