1.64千兆赫的MOS分频器

来源 :半导体技术 | 被引量 : 0次 | 上传用户：jerrykfczz

【摘要】

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<正> 据报导,日本富士通研究所采用SiMOSFET研制了1.64千兆赫1/2分频器(主从型触发电路).由N-MOS结构制成的这一器件,其阶频率首次超过了1千兆赫.贯常的器件采用了硅表面的反

【作者】

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哨兵

【出处】

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半导体技术

【发表日期】

：

1980年04期

【关键词】

：

千兆赫分频器 MOS

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<正> 据报导,日本富士通研究所采用SiMOSFET研制了1.64千兆赫1/2分频器(主从型触发电路).由N-MOS结构制成的这一器件,其阶频率首次超过了1千兆赫.贯常的器件采用了硅表面的反型沟道,而这一器件则采用了埋沟型MOS结构.在器件上流过的电流通过整个本体硅.因此,电子迁移率变大,g_m也变大,于是工作速度变快.

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