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氮化镓是直接带隙半导体材料,在室温下有很宽的带隙(3.39eV).它在光电子器件如蓝光、紫外、紫光等光发射二极管和激光二极管方面有着重要的应用.本文系统介绍了氮化镓的各种制备方法,对其结构和性能关系的研究,揭示了它在半导体领域广泛且重要的应用前景.
氮化镓基材料的合成研究进展
【摘 要】
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氮化镓是直接带隙半导体材料,在室温下有很宽的带隙(3.39eV).它在光电子器件如蓝光、紫外、紫光等光发射二极管和激光二极管方面有着重要的应用.本文系统介绍了氮化镓的各种
【机 构】
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中国科学院理化技术研究所,中国科学技术大学化学与材料科学学院,北京化工大学理学院应用化学系
【出 处】
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中国科学院研究生院学报
【发表日期】
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2005年05期
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