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采用激发态吸收法(ESA)可以研究半导体中的深杂质的能级,这种深杂质是因固有的带隙吸收而存在于半导体中的。通常用激光束把杂质的粒子激发到激发能级上,然后用第二种弱光源来探测它的吸收。这样便可以检测到 E<sub>gap</sub>【E【E<sub>gap</sub>+E 的能级,E 是加速到激发态的能量。当 Mn 作为Ⅱ—Ⅳ族化合物中的掺杂剂时,它有可能泵浦第一激发态,<sup>4</sup>T<sub>1</sub