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对用铝硅面垒型半导体探测器作为标定手段进行了充分的论证。该探测器可以用来测试软Ｘ射线，较之于全吸收充电氙电离室，它有体积小，使用方便等优点；比金硅面垒型半导体探测器的透射率又大得多，文章对各种物理机制引出的诸修正项和各种参量测量的误差，做了认真的考虑，分析了和计算。结果表明，总精度和小１０％。
铝硅面垒型半导体探测器作为标定手段的论证
【摘 要】
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对用铝硅面垒型半导体探测器作为标定手段进行了充分的论证。该探测器可以用来测试软Ｘ射线，较之于全吸收充电氙电离室，它有体积小，使用方便等优点；比金硅面垒型半导体探测器的透射
【机 构】
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中国工程物理研究院工学院
【出 处】
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菏泽师专学报
【发表日期】
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1998年4期
其他文献
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