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影响NiCr薄膜电阻TCR的因素很多,我们分别从溅射淀积工艺和热处理工艺来研究和探讨NiCr薄膜电阻TCR与溅射时的真空度、溅射速率、基片温度、薄膜厚度及热处理温度和时间等因素的关系,从而为提高NiCr薄膜电阻的稳定性和降低其TCR值提供有益的条件。
NiCr薄膜电阻TCR的影响因素
【摘 要】
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影响NiCr薄膜电阻TCR的因素很多,我们分别从溅射淀积工艺和热处理工艺来研究和探讨NiCr薄膜电阻TCR与溅射时的真空度、溅射速率、基片温度、薄膜厚度及热处理温度和时间等因
【机 构】
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华东光电集成器件研究所 安徽蚌埠233042;
【出 处】
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真空
【发表日期】
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2004年期
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