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探讨了新型功率器件ＣＭＴ（ＭＯＳ控制晶闸管）的参数设计和工艺设计及实施方法，通过计算机工艺模拟，采用ＳＤＢ（硅片直接健合），硅栅自对准工艺和多层介质隔离等技术，在实验室里制成了ＭＣＴ样品。测试结构表明，在－１２伏的栅偏压下能在５μｓ内关断４２Ａｃｍ＾２的阳极电流。
新型功率器件MCT的研究
【摘 要】
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探讨了新型功率器件ＣＭＴ（ＭＯＳ控制晶闸管）的参数设计和工艺设计及实施方法，通过计算机工艺模拟，采用ＳＤＢ（硅片直接健合），硅栅自对准工艺和多层介质隔离等技术，在实验室里制成了ＭＣＴ样品。测试结构表明
【机 构】
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东南大学
【出 处】
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电子器件
【发表日期】
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1994年1期
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