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用双4f相位成像技术，对半导体GaN多晶在600nm，皮秒时城的三阶非线性光学性质进行了实验测量。根据相关理论，通过数值模拟确定了GaN在相关条件下的三阶非线性光学参数。实验测量得到的双光子吸收系数β=9．54×10^-11（m／W），三阶非线性折射率，n2=-1．33×10^-17（m^2／W），该结果表明GaN是一种性能优异的非线性光学材料。．