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采用阳极氧化方法和MBE生长技术进行了非均匀阱宽InGaAs／A1GaAs多量子阱超辐射发光管器件的设计和工艺制作，研究了三种条形结构器件的功率输出和光谱输出特性。在150mA的驱动电流条件下获得了10mW以上的超辐射光输出，光谱宽度约为18nm．
阳极氧化法制备超辐射发光管实验研究
【摘 要】
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采用阳极氧化方法和MBE生长技术进行了非均匀阱宽InGaAs／A1GaAs多量子阱超辐射发光管器件的设计和工艺制作，研究了三种条形结构器件的功率输出和光谱输出特性。在150mA的驱动电
【机 构】
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长春理工大学高功率半导体激光国家重点实验室
【出 处】
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兵工学报
【发表日期】
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2007年7期
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