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扼要阐述了电可擦除可编程只读存储器发展史上的各种铷ＦＡＭＯＳ、ＭＮＯＳ、ＳＩＭＯＳ、ＤＩＦＭＯＳ、ＦＥＴＭＯＳ等，比较了它们的优缺点，着重论述了ＥＥＰＲＯＭ结构今后的变革方向。
EEPROM单元结构的变革及发展方向
【摘 要】
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扼要阐述了电可擦除可编程只读存储器发展史上的各种铷ＦＡＭＯＳ、ＭＮＯＳ、ＳＩＭＯＳ、ＤＩＦＭＯＳ、ＦＥＴＭＯＳ等，比较了它们的优缺点，着重论述了ＥＥＰＲＯＭ结构今后的变革方向。
【机 构】
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华晶集团中央研究所,东南大学微电子中心
【出 处】
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固体电子学研究与进展
【发表日期】
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1996年3期
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