多晶硅组件的电位诱发衰减的成因及防治

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光伏应用越来越多,光伏电站规模越建越大,组件串联的数目越来越多,于是组串与大地的电位差越来越大,目前,已在600v-1000v左右。存在于晶体硅光伏组件中的电路与其接地金属边框之间的高电压,会造成组件的光伏性能的持续衰减。造成此类衰减的机理是多方面的,例如在上述高电压的作用下,组件电池的封装材料和组件上表面层及下表面层的材料中出现的离子迁移现象;电池中出现的热载流子现象;电荷的再分配削减了电池的活性层;相关的电路电腐蚀等等。这些引起组件功率衰减的机理被称之为电位诱发衰减Potential Induced
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