【摘 要】
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采用无籽固相晶体生长法制备了铌酸钾钠基压电单晶,研究了晶体生长降温阶段的冷却速率对该单晶的结构和性能的影响.结果表明:通过优化降温速率有利于单晶的生长,易生长尺寸更
【机 构】
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桂林电子科技大学材料科学与工程学院,广西信息材料重点实验室,广西 桂林 541004
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采用无籽固相晶体生长法制备了铌酸钾钠基压电单晶,研究了晶体生长降温阶段的冷却速率对该单晶的结构和性能的影响.结果表明:通过优化降温速率有利于单晶的生长,易生长尺寸更大的单晶体;当降温速率较低时,晶体表面更平坦,晶体质量较高;在研究范围内,降温速率的改变对单晶的晶体结构的影响较小;当降温速率为2.0℃/min时,所制备的铌酸钾钠基压电单晶表现出优异的压电性能,其正压电系数d33达510 pC/N,逆压电系数d*33达1425 pm/V,同时晶体还具有较低的介电损耗tanδ=0.02,且Curie温度较高TC=416℃,和剩余极化强度Pr=20μC/cm2.通过优化降温速率采用无籽固相法生长的铌酸钾钠基单晶是一种较有前景的压电铁电单晶材料,具有较大的潜在应用价值.
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