论文部分内容阅读
与常规体硅器件相比，SOI器件由于其独特的结构，常常会产生较严重的自加热效应，影响器件的可靠性。文中阐述SOI LDMOS功率晶体管中的自加热现象，研究了自加热效应产生的机理，在不同的结构和工艺参数下自加热效应的研究进展，以及减弱自加热效应的方法。研究证明采用新材料，结构可对同加热效应起到有效抑制作用提高了件的可靠性。