【摘 要】
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采用NH4F／H202作为p-CZT晶片的表面钝化剂，对未钝化与钝化表面处理的p—CZT晶片的C-V特性进行了对比研究。用XPS分析了钝化前后CZT晶体表面成分，发现钝化后CZT晶片表面形成厚度
【机 构】
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西北工业大学凝固技术重家重点实验室
【基金项目】
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国家自然科学基金重点资助项目（50336040）.
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采用NH4F／H202作为p-CZT晶片的表面钝化剂，对未钝化与钝化表面处理的p—CZT晶片的C-V特性进行了对比研究。用XPS分析了钝化前后CZT晶体表面成分，发现钝化后CZT晶片表面形成厚度为3．1nm的TeO2氧化层。用Agilent 4294A高精度阻抗分析仪，在1MHz下对未钝化的和钝化的CZT晶片进行C-V测试。对测试结果的计算表明，钝化提高了Au与CZT接触的势垒高度φb．未钝化的φb为1．393V，钝化后，φb变为1．512V。
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