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发展了一种与CMOS工艺完全兼容并可在商业化的1．2μm标准CMOS生产流水线上进行流片的硅基热电堆真空传感器的制造技术与流程。传感器为悬浮的多层复合薄膜结构，其上制作了n型多晶硅加热器和20对由p型多晶硅条和铝条构成的热电堆。利用标准制造工艺中铝层图形的掩蔽作用，使用干法刻蚀工艺一方面去除了传感器表面的SiNx层，使复合介质薄膜减至三层介质，即场氧化层、硼磷硅玻璃和层间介质，从而提高了传感器响应率；另一方面去除了传感器区域内腐蚀孔中的多层介质，将其中的硅衬底裸露，以便完成后续的四甲基氢氧化铵（TMAH）