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利用磁控溅射法于500℃、550℃、600℃和650℃下在A l2O3（001）衬底上生长ZnO薄。对生长的ZnO薄膜后分别进行了800℃退火和1000℃退火处理。利用X射线衍射（XRD）、霍尔测试仪和透射谱仪对薄膜的结构、电学和光学性质进行了研究,结果表明合适的生长温度和退火温度能够提高ZnO薄膜的结晶质量和性能。