808nm大功率半导体激光器腔面光学膜工艺

来源 :半导体学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户：yinnahappy

【摘要】

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用电子束蒸发离子辅助镀膜方法为808nm大功率半导体激光器镀制了 SiO2/TiO2 高反膜及 SiO2 或 Al2O3减反膜,结果表明镀膜后激光器外微分量子效率明显提高(由 0 7 提高到 1 24

【作者】

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舒雄文徐晨徐遵图朱彦旭沈光地

【机构】

：

北京工业大学光电子技术实验室

【出处】

：

半导体学报

【发表日期】

：

2005年03期

【关键词】

：

离子辅助镀膜(IAD) 阈值电流密度微分量子效率

【基金项目】

：

国家重点基础研究发展计划资助项目(批准号:G200068302)~~

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用电子束蒸发离子辅助镀膜方法为808nm大功率半导体激光器镀制了 SiO2/TiO2 高反膜及 SiO2 或 Al2O3减反膜,结果表明镀膜后激光器外微分量子效率明显提高(由 0 7 提高到 1 24),而且可在一定范围内调节阈值电流密度,器件寿命也有很大提高.对这种方法所镀制的 SiO2/TiO2 膜用作 808nm半导体激光器高反膜的可行性进行了分析和探讨,认为是一种可行的方法.

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