【摘 要】
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选用CuPc（酞菁酮）为供电子的材料,使用Bphen（4,7-二苯基-1,10-邻二氮杂菲）为缓冲层的材料,研究了结构为ITO/PEDOT：PSS/CuPc（20 nm）/C60（40 nm）/Bphen（x）/Ag（100 nm）的有机太阳能电池（OSC）。
【机 构】
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电子科技大学光电信息学院电子薄膜与集成器件国家重点实验室
【基金项目】
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教育部留学归国基金部级基金（GGRYJJ08-05） 教育部博士点基金部级基金（20090185110020）, 四川省青年基金资助课题（09ZQ026-074）（9140A02060609DZ0208）
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选用CuPc（酞菁酮）为供电子的材料,使用Bphen（4,7-二苯基-1,10-邻二氮杂菲）为缓冲层的材料,研究了结构为ITO/PEDOT：PSS/CuPc（20 nm）/C60（40 nm）/Bphen（x）/Ag（100 nm）的有机太阳能电池（OSC）。考察OSC性能与缓冲层Bphen厚度之间的关系,优化器件的结构。在标准太阳光照条件下（AM1.5）测量器件的I-V特性,结果显示,太阳电池的能量转换效率与缓冲层厚度密切相关。采用高真空蒸发的方法,制作了结构为ITO/PEDOT：PSS/CuPc（20
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