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从硅衬底RF集成电路中平面螺旋电感的品质因子Q的表达式出发，采用ADS软件模拟计算了平面螺旋集成电感L值与品质因子Q值．通过两组电感Q值的对比，发现品质因子Q随着电感圈数的增加而减小．以电感值为3．28nH的设计为例，将电感圈数从2增加到6，计算得到的品质因子Q从4．3(@1．1GHz)降低到2．7(@1．4GHz)，模拟计算结果与理论分析相吻合．该分析和结论将对硅衬底RF集成电路中片上电感的设计具有重要的指导意义。