【摘 要】
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利用MOCVD的原位监测控制生长垂直腔面发射激光器材料.通过GaAs/AlGaas DBR结构生长表明系统的原位监测结果与实际结果间存在2%的偏差.修正原位监测的参数,可实现利用原位监
【基金项目】
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国家重点基础研究发展计划(973计划)，国家自然科学基金，北京市教委科研项目
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利用MOCVD的原位监测控制生长垂直腔面发射激光器材料.通过GaAs/AlGaas DBR结构生长表明系统的原位监测结果与实际结果间存在2%的偏差.修正原位监测的参数,可实现利用原位监测进行实时控制生长,从而有效地减少系统漂移对材料生长的影响,提高系统的控制精度.用于垂直腔面发射激光器(VCSEL)的外延生长中,可以有效减少生长次数并得到高质量的外延材料,制作的VCSEL器件在室温下得到10.1 mW的脉冲功率和7.1 mW的直流功率.
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