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在热中子与快中子成份比大于７０的条件下，用６．５×１０＾１６ｃｍ＾－２和６．５×１０＾１８ｃｍ＾－２剂量水平辐照纯净ＧａＡｓ样品，研究由于嬗变产生的杂质和损伤。所得结果表明：热中子对Ｇａ、Ａｓ发生俘获核反应，其最终稳定产物Ｇｅ作为两性杂质元素被导入；复杂的移位缺陷形成及其热行为是影响辐照后ＧａＡｓ是学性质变化的重要因素。