观察不同时程电针(取穴百会、水沟)预处理对继发脑缺血再灌注大鼠血脑屏障水通道蛋白-4(AQP4)及紧密连接蛋白-5(CLN5)表达的影响。
方法采用随机数字表法将64只雄性SD大鼠分为模型组、假手术组、电针预处理7 d组及电针预处理15 d组，电针预处理7 d组及电针预处理15 d组分别给予持续7 d、15 d的电针(取穴百会、水沟)预处理。待上述预处理结束后，参照Longa改良线栓法将模型组、电针预处理7 d组及电针预处理15 d组大鼠制成单侧大脑中动脉栓塞(MCAO)模型，假手术组大鼠术中仅分离颈总动脉，不栓塞中动脉血流。各组大鼠于大脑中动脉栓塞90 min后进行再灌注。于制模24 h后采用免疫组化法、荧光定量PCR法检测各组大鼠血脑屏障AQP4、CLN5阳性细胞及其mRNA表达情况。
结果与假手术组比较，模型组及各电针预处理组大鼠血脑屏障AQP4阳性细胞及其mRNA表达均明显上调(P<0.05)，CLN5阳性细胞及其mRNA表达均明显下调(P<0.05)；与模型组比较，电针预处理7 d组及15 d组AQP4阳性细胞及其mRNA表达均明显下调(P<0.05)，CLN5阳性细胞及其mRNA表达均明显上调(P<0.05)；与电针预处理7 d组比较，电针预处理15 d组AQP4阳性细胞数[(25.15±0.55)个/每高倍镜视野]及其mRNA表达(1.16±0.04)下调幅度、CLN5阳性细胞数[(62.88±0.61)个/每高倍镜视野]及其mRNA表达(0.80±0.03)上调幅度均更显著(P<0.05)。
结论不同时程电针(取穴百会、水沟)预处理可抑制脑缺血再灌注大鼠血脑屏障AQP4阳性细胞及其mRNA表达，促进CLN5阳性细胞及其mRNA表达；以电针预处理15 d对脑缺血再灌注大鼠血脑屏障的保护作用相对较好；电针预处理诱导大鼠脑缺血耐受可能与调节脑缺血再灌后血脑屏障AQP4、CLN5及其mRNA表达有关。