【摘 要】
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LCoS中像素有源驱动电路受到光照后会在p-n结上产生光生漏电流，而光生漏电流的产生会引起LCoS的图像对比度退化，直接影响其成像质量。从光学和半导体器件物理两方面出发，分析了
【机 构】
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中国科学院微电子研究所纳米加工与新器件集成技术实验室
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LCoS中像素有源驱动电路受到光照后会在p-n结上产生光生漏电流，而光生漏电流的产生会引起LCoS的图像对比度退化，直接影响其成像质量。从光学和半导体器件物理两方面出发，分析了光生漏电流的产生机理，指出了影响漏电流大小的主要因素是入射光功率和挡光层的厚度。以Al膜作为挡光层材料，实际测量了不同厚度Al膜在可见光范围内的反射率，并在测量数据的基础上分别计算了不同情况下的光生电流的大小。当Al膜厚度为50nm时，光生电流最大仅为5．15×10^-10A，可以抑制光生漏电流的产生，满足了LCoS的实际
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