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利用二维流体模型和数值计算方法模拟了等离子体浸没离子注入（ＰⅢ）Ｋ ，具有圆弧凹槽的平面靶周围的鞘层扩展情况，计算了鞘层扩展过程中的电热分布、离子速度和离子密度变化获得了沿靶表面的离子入射角度和注入剂量的分布情况，为等离子体浸没离子注入处理复杂形状靶提供了理论基础。
表面凹陷对等离子体浸没离子注入均匀性的影响
【摘 要】
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利用二维流体模型和数值计算方法模拟了等离子体浸没离子注入（ＰⅢ）Ｋ ，具有圆弧凹槽的平面靶周围的鞘层扩展情况，计算了鞘层扩展过程中的电热分布、离子速度和离子密度变化获得了沿
【机 构】
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哈尔滨工业大学现代焊接生产技术国家重点实验室,香港城市大学物理及材料科学系
【出 处】
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计算物理
【发表日期】
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2000年4期
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