【摘 要】
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ONO(Oxide-Nitride-Oxide)反熔丝器件具有可靠性高、抗辐射、高开关比等优异特性,一直用于抗辐射可编程逻辑器件.基于0.6 μm CMOS工艺,分别采用“AF+MOS”和“MOS+AF”集成
【机 构】
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中国电子科技集团公司第五十八研究所,江苏无锡214072;中国电子科技集团公司第五十八研究所,江苏无锡214072;东南大学电子科学与工程学院,南京210096
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ONO(Oxide-Nitride-Oxide)反熔丝器件具有可靠性高、抗辐射、高开关比等优异特性,一直用于抗辐射可编程逻辑器件.基于0.6 μm CMOS工艺,分别采用“AF+MOS”和“MOS+AF”集成方法成功制备了ONO反熔丝器件,研究了ONO反熔丝阵列单元编程特性、导通电阻与编程电流以及编程时间之间的关系,同时对两种典型编程通路的编程特性进行特征化表征,考察了反熔丝单元编程前后的电应力可靠性.研究结果表明,采用“AF+MOS”集成方法制备的ONO反熔丝器件具有优良的击穿均匀性和编程特性.
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