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本文利用高分辨透射电子显微技术及高分辨像几何相位分析技术，对分子束外延方法生长在GaSb（001）面上的InAs／GaSb11型超晶格材料进行了界面显微结构和解理特征的研究。众所周知，InAs和GaSb都是立方硫化锌结构，具有平行于{110}面的六组完全解理面，然而，本工作中发现InAs／GaSb超晶格的解理面发生改变，平行于{111}面解理，并在InAs／GaSb界面处发生扭折，呈现锯齿状解理边缘。而在InAs盖帽层即非超晶格区域内，解理面依然平行于{110}面。通过建立超晶胞模型与计算分析表明，在超晶