【摘 要】
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本文介绍一种新型的β—射线探测器的制造过程及其特性.采用背吸杂技术有效地降低了器件的反向漏电流并提高了成品率,提出并应用真空镀铜工艺制作P型碲化镉的低阻接触,取得了
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本文介绍一种新型的β—射线探测器的制造过程及其特性.采用背吸杂技术有效地降低了器件的反向漏电流并提高了成品率,提出并应用真空镀铜工艺制作P型碲化镉的低阻接触,取得了良好的效果,该探测器由一个PN结二极管构成.在20℃,2V的电压下其反向漏电流小于3.5X10<sup>-12</sup>A/mm<sup>2</sup>,在60℃,2V的电压下其反向漏电流小于3.5×10<sup>-11</sup>A/mm<sup>
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