【摘 要】
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本文通过水热法在泡沫镍基底上生长了镍钴氧化物前驱体,并利用原子层沉积技术（ALD）在前驱体表面沉积一层超薄（〈1 nm）TiO2薄膜,通过退火处理制备了纳米NiCo2O4/TiO2复合电极材料
【机 构】
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北京工业大学固体微结构与性能研究所
【基金项目】
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国家自然科学基金资助项目（No.11374027）, 北京市自然科学基金资助项目（No.2132014）
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本文通过水热法在泡沫镍基底上生长了镍钴氧化物前驱体,并利用原子层沉积技术（ALD）在前驱体表面沉积一层超薄（〈1 nm）TiO2薄膜,通过退火处理制备了纳米NiCo2O4/TiO2复合电极材料。结果表明,经过原子层沉积处理以后的纳米NiCo2O4/TiO2电极材料在保持原有的形貌和结构基础上电化学性能大幅提高,电极材料在2 m A/cm~2的充放电电流密度下比容量达到了2.94 F/cm~2,在10 m A/cm~2的电流密度下,经过4 000次循环以后比容量依然保持较高水平,显示出了很好的循环稳定性。
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