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应用总能赝势方法和CASTEP程序对InxGa1-xN进行了模拟计算。利用第一原理密度泛函理论来探讨不合应力的闪锌矿化合物半导体InxGa1-xN在In的不同组分下的带隙值,并利用Vegard定理拟合出Bowing参数值为1.5728±0.14783eV,认为其Bowing值应该在1.5eV附近。可见InxGa1-xN材料有明显的Bowing现象,这一结果对于InxGa1-xN的异质外延有一定的理论指导作用。