【摘 要】
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使用90%N2稀释的SiH4与O2作为前驱气体,利用微波电子回旋共振等离子体化学气相沉积(ECR-CVD)方法制备了非晶氮氧化硅薄膜(a-SiOxNy).红外吸收光谱的结果表明,a-SiOxNy薄膜主
【机 构】
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苏州大学物理系薄膜材料实验室,苏州大学分析测试中心
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使用90%N2稀释的SiH4与O2作为前驱气体,利用微波电子回旋共振等离子体化学气相沉积(ECR-CVD)方法制备了非晶氮氧化硅薄膜(a-SiOxNy).红外吸收光谱的结果表明,a-SiOxNy薄膜主要由Si-O-Si和Si-N键的两相结构组成,在存在氧流量的情形下,薄膜主要成分是SiOx相,而在无氧流量的情形下,薄膜则主要是SiNx相.使用5.65eV的紫外光激发,发现SiOxNy薄膜出现了位于460nm的光致蓝光主峰,且其发光强度随着氧流量的降低而显著增强.根据缺陷态发光中心和SiNx蓝光发射能隙态模型,讨论了其发光机理,认为在低N含量时,蓝光发射是由于SiOx中的氧空位缺陷引起的;在高N含量时,蓝光发射强度的大幅度增强是由于SiNx的缺陷态中电子和空穴的辐射复合引起的.
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