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通过哈密瓜花粉在固体培养基上进行离体培养，对哈密瓜品种金皇后的离体萌发特性进行研究。结果表明，培养基中硼酸的不同浓度对哈密瓜花粉离体萌发具有明显的影响，适宜的硼酸浓度为20mg／L；在不同的温度条件下，哈密瓜花粉的萌发率不同，25℃时哈密瓜花粉的萌发率达到了最大值，花粉萌发的适宜温度范围为10．35℃，随着温度的升高，花粉管的长度也相应的增加；另外，不同的贮藏时间和贮藏温度对哈密瓜花粉的萌发率也有一定的影响，一般在低温条件下贮藏花粉，可以较长时间保持花粉较高的萌发率。